英伟达最强AI芯片“美国造”背后 制造业回归里程碑！这些晶圆将被用来制作用于人工智能的Blackwell芯片。黄仁旭在现场表示，制造出的东西令人难以置信，并且是历史性事件的一部分。

早在今年4月，黄仁勋就宣布投资5000亿美元用于美国本土的人工智能芯片制造。经过大半年的努力，最强芯片Blackwell终于在美国本土成功生产。

将世界级AI芯片制造迁移到美国本土，引入台积电的尖端制造能力，被誉为改变行业格局的里程碑。黄仁勋提到，没有台积电的帮助，这一切都无法实现。在凤凰城的厂区内，生产的齿轮已经开始转动，总投资额达到1650亿美元。

庆祝活动上，黄仁勋与台积电运营副总裁共同登台，在这片Blackwell晶圆上签名以纪念这一重要时刻。这片晶圆将经过分层、光刻、蚀刻和切割等一系列复杂工艺，最终成为英伟达Blackwell架构提供的超高性能加速计算AI芯片。台积电亚利桑那州工厂将生产包括2纳米、3纳米和4纳米芯片以及A16芯片在内的先进技术，这些对于AI、电信和高性能计算等应用至关重要。

这个项目不仅象征着制造业回归美国，还意味着就业机会的增加。新一代芯片在美国本土下线，标志着半导体产业在美国迎来一个重要转折点。Blackwell是英伟达新一代AI超级芯片，其基础架构拥有约2080亿个晶体管，采用NVIDIA与TSMC合作定制的4NP工艺。为了突破单片硅片面积限制，Blackwell GPU由两个子芯片组成，通过一种新的高带宽接口互联（NV-HBI）连接速度可达10TB/s。这样，两个子芯片可以在逻辑上看作一个统一的GPU，从而实现“全性能链接”。

接下来，Blackwell之后的系列有望继续在美国生产。Blackwell Ultra作为Blackwell架构的下一步演进版，用于应对更大模型推理、更高性能/带宽需求的AI推理与训练场景。而Blackwell的下一代是由Rubin GPU+ Vera CPU组成的“Vera Rubin”超芯片/平台，计划于2026年下半年上市，目标是下一阶段的大模型训练与推理。英伟达的芯片路线图中，Feynman标为Rubin的后继架构，时间窗口指向2028年。在此之前，2027年会先推出Rubin Ultra。