俄罗斯公布EUV光刻机路线图 2036年目标10nm以下制程。9月28日，俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov通过X平台公布了俄罗斯最新的光刻机研发路线图。根据该路线图，俄罗斯预计在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机研发，2032年前完成28nm分辨率的光刻机研发，并最终在2036年底前完成可生产10nm以下先进制程的极紫外线（EUV）光刻机的研发。

早在2024年12月，俄罗斯科学院微观结构物理研究所就已公布其主导研发的EUV光刻机计划。该计划采用波长为11.2nm的镭射光源，而非ASML使用的标准13.5nm波长，目标是打造比ASML系统更经济的EUV光刻机。最新曝光的路线图进一步完善了研发周期，延伸到了2036年。

俄罗斯光刻机研发分为三个主要阶段。第一阶段计划于2026年至2028年推出分辨率为60-40nm的光刻机，具有双镜物镜光学系统、套刻精度达到10nm、曝光区域为3 x 3mm，生产效率为每小时超过5片晶圆。第二阶段计划于2029年至2032年推出分辨率为65-28nm的光刻机，将采用四镜物镜光学系统、套刻精度5nm、曝光区域为26 x 0.5 mm，生产效率为每小时超过50片晶圆。第三阶段计划于2033年至2036年推出分辨率为28-13nm的光刻机，将采用六镜物镜光学系统、套刻精度2nm、曝光区域为26 x 2 mm，生产效率将提升至每小时超过100片晶圆。

俄罗斯的光刻机技术路线与ASML完全不同。ASML的EUV光刻机采用激光轰击金属锡滴产生13.5nm波长的EUV光源，通过反射镜收集并修正路线，最终到达晶圆表面的光刻胶。然而，金属锡会产生碎屑，污染光掩模。相比之下，俄罗斯光刻机采用基于氙气的激光器来产生波长为11.2nm的EUV光源，不仅提高了约20%的分辨率，还简化设计并降低了整个光学系统的成本。此外，该设计减少了光学元件的污染，延长了收集器和保护膜等关键零件的寿命。