8月29日，美国商务部工业与安全局修订《出口管理条例》，将英特尔半导体（大连）有限公司、三星中国半导体有限公司以及SK海力士半导体（中国）有限公司从对中国的现有经验证最终用户授权名单中移除。这些企业的豁免将在120天后到期，之后若要继续进口美系半导体制造设备，必须逐案申请许可。美国商务部表示，会批准许可证以保障企业现有工厂继续运转，但不会允许扩大产能或升级先进技术。

这项规则的改变不仅会影响三星、SK海力士在华晶圆厂的扩产和技术升级，还可能对美国设备制造商如科磊公司、泛林集团和应用材料公司在华销售造成负面影响。值得注意的是，台积电在华晶圆厂似乎未受影响，其之前获得的永久豁免依然有效，这可能与其追加对美投资有关。

早在2022年10月7日，美国出台了新的对华半导体出口管制政策，限制了中国大陆晶圆制造厂商获取先进逻辑制程芯片、128层NAND闪存芯片及18nm半间距或更小的DRAM内存芯片所需的制造设备的能力，除非获得美国商务部的许可。随后，三星电子、SK海力士和台积电获得了为期一年的豁免期许可。2023年10月，美国商务部同意向这些企业在华晶圆厂提供“无限期豁免”，使他们无需担心受到美国对华半导体设备供应限制政策的影响。

目前主流的NAND Flash芯片正在迈向128层以上的更高堆叠层数，而主流的DRAM芯片也在进入10纳米级。如果无法获得美系先进的半导体设备及零部件供应，不仅现有产线运营可能受影响，未来也将无法进行技术升级和扩大产能，这势必影响他们在华工厂的正常运营及其未来的产能布局和市场竞争力。

三星在中国大陆西安和苏州拥有存储芯片工厂，其中西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片，占三星全球NAND闪存芯片总产量的42%。SK海力士在中国大陆无锡和大连拥有晶圆厂，承担该公司DRAM芯片全球生产总量近一半的份额。根据研调机构TrendForce的数据，2025年一季度，三星与SK海力士一起占据了全球近70%的DRAM市场和近50%的NAND Flash市场。

美国撤销对于三星和SK海力士在华晶圆厂的豁免，改为逐案许可，并限制技术升级和产能扩充，将使他们在华晶圆厂未来的运营和投资受到很大影响。如果中国本土半导体设备能够取得突破，则有望打破这种限制。