日本半导体制造新锐企业Rapidus近日宣布，已正式启动2纳米制程GAA（全环绕栅极）晶体管的试制工作，并首次展示了其2nm工艺晶圆样品。这标志着全球最先进芯片制造技术从台积电、三星和英特尔主导的局面进入了一个新的竞争阶段。

Rapidus成立于2022年8月，由丰田、索尼等8家日本大型企业共同出资设立。公司发展迅速，2023年9月首座晶圆厂IIM-1奠基，2024年12月完成洁净室建设，2025年4月实现初始图案曝光与显影，同年6月建成包含200多个制造单元的生产线。公司正在开发与2nm工艺兼容的PDK（工艺设计套件），计划在2026年第一季度前交付客户使用，并维持2027年实现量产的目标。

Rapidus选择了目前最先进的GAA晶体管架构，这一选择与台积电和三星的技术路线一致。GAA晶体管相比传统FinFET结构，能更好地控制电流泄漏，提升芯片性能并降低功耗。此外，Rapidus获得了美国IBM公司的技术支持，在极紫外光刻（EUV）等关键工艺上展开深度合作。公司还与西门子、新思科技等半导体设备及EDA工具供应商建立了合作关系。