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不依赖EUV光刻机!我国科学家突破芯片研制极限 改变游戏规则(2)

2025-04-08 10:33:28 来源:科技笛笛

这项突破带来的冲击波正席卷全球资本市场。消息公布当日,ASML股价暴跌14.7%,创2008年以来最大单日跌幅。三星电子紧急调整技术路线图,计划在上海设立联合研发中心。美国商务部连夜召开会议,讨论放宽对华半导体设备出口限制。台积电前技术总监林本坚评价说:“这相当于在珠峰南坡被封锁的情况下,中国人找到了绕行北坡的新路径。”当制程竞赛不再局限于光刻精度,整个产业规则都将被改写。据统计,采用新技术的3nm芯片功耗降低40%,成本较传统EUV方案下降65%。

在这场科技突围战中,中国已构建起完整的创新生态链。华为海思的EDA软件突破3nm设计瓶颈,上海微电子28nm浸没式光刻机即将量产,中芯国际北京工厂良率提升至92.3%,国家大基金三期2000亿重点投向先进封装。国际半导体产业协会(SEMI)预测,到2027年中国大陆芯片自给率将从31%跃升至70%,带动全球半导体设备市场格局重构。ASML不得不宣布加速High-NA EUV研发,但业内人士指出其每台4亿美元的售价已失去竞争优势。这场突破证明:科技霸权的城墙再坚固,也挡不住创新火种的燎原之势。

(责任编辑卢其龙 CM0882)

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