比韩国存储双雄更早落地！长鑫秘密研发DRAM新技术：无需EUV光刻机 领先一步突破技术限制。韩媒报道，中国存储巨头长鑫存储正在合肥测试一条键合式DRAM试验生产线，目标是在不使用EUV光刻设备的情况下实现高性能DRAM制造。这一技术被视为1D及以后DRAM世代的重要工艺方向，被三星、SK海力士和长鑫存储等厂商视为下一代DRAM竞争的关键技术之一。

目前，三星正通过代号为B1b的项目推进自主键合式DRAM技术研发，而SK海力士也在同步开发类似技术。如果长鑫存储的生产线进展顺利，这不仅意味着其在传统DRAM制程上持续追赶国际龙头，还可能通过键合式DRAM这一新技术路线绕开EUV设备限制，加速缩小与国际领先厂商之间的技术差距。

据业内观点，长鑫存储在键合式DRAM技术成熟度以及研发推进速度方面，可能已经领先于韩国两大存储厂商。