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我国成功研发全新架构闪存芯片 攻克二维信息器件工程化难题
我国成功研发全新架构闪存芯片 攻克二维信息器件工程化难题。复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、集成电路与微纳电子创新学院周鹏—刘春森团队研发出全球首颗二维—硅基混合架构闪存芯片，解决了存储速率的技术难题。相关研究成果已发表于国际学术期刊《自然》。
这项成果标志着复旦大学在二维电子器件工程化道路上的又一次重要突破。此前，该校曾推出“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。新研发的芯片将二维超快闪存与成熟的互补金属氧化物半导体工艺深度融合，攻克了二维信息器件工程化的关键难题，实现了全球首颗二维—硅基混合架构闪存芯片的研发。业内人士认为，这种芯片有望突破闪存在速度、功耗和集成度上的平衡限制，未来可能在3D应用层面带来更大的市场机会。
(责任编辑：卢其龙 CM0882)
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