俄自主EUV光刻技术路线图发布 冲刺10纳米以下制程。俄罗斯计划在2036年前冲刺10纳米以下的半导体制造工艺。近日，俄罗斯科学院微结构物理研究所发布了国产极紫外（EUV）光刻设备的长期发展路线图，目标是通过差异化路径突破全球光刻设备技术垄断。该路线图以11.2纳米工作波长为核心技术方向，预计从2026年开始逐步推进，至2037年实现10纳米以下制程覆盖。

EUV光刻技术目前主要由荷兰ASML公司主导，其13.5纳米波长设备已成为7纳米及以下先进制程的必备装备。俄罗斯的路线图则选择了一条完全独立的技术体系，采用混合固态激光器与氙气等离子体光源，并使用钌和铍制成的反射镜，这种特殊材质可以有效反射11.2纳米波长的极紫外光。

这一技术选择旨在解决ASML设备中的碎屑问题，降低设备维护成本。同时，相比深紫外（DUV）光刻设备，该方案无需依赖高压浸没液与多重图案化步骤，理论上能简化生产流程，降低技术门槛。

整个研发计划分为三个阶段。第一阶段（2026-2028年）将开发40纳米级设备，配备双镜物镜系统，实现10纳米级覆盖精度，曝光场尺寸可达3×3毫米，设计吞吐量超过每小时5片晶圆。第二阶段（2029-2032年）升级至四镜光学系统，主攻28纳米制程（远期目标14纳米），套刻精度提升至5纳米，曝光场扩展为26×0.5毫米，吞吐量跃升至每小时50片以上。最终阶段（2033-2036年）剑指10纳米以下制程，通过六镜配置实现2纳米套刻对准精度，曝光场进一步扩大至26×2毫米，吞吐量突破每小时100片，达到主流商用设备的性能水平。

据研发团队测算，这套系统可支持65纳米至9纳米的分辨率范围，能够满足各类芯片关键层的制造需求，且单位成本结构显著低于ASML的Twinscan NXE与EXE平台。然而，这份雄心勃勃的路线图仍面临多重挑战。首先，11.2纳米波长的技术选择需重建全套配套体系，从专用光刻胶、镜片抛光工具到光学检测设备均需从零开发。其次，俄罗斯当前最高仅能量产350纳米光刻机，与EUV设备所需的超精密制造能力存在代际差距。

路线图明确设备不瞄准超大规模晶圆厂的高产能需求，而是聚焦小型代工厂的经济型需求，并试图吸引被排除在ASML生态外的国际客户。不过，首台设备需在2026-2028年投入使用，而目前尚未披露核心部件的原型机研发进展，留给技术转化的时间窗口相当紧张。此外，路线图特别注明设备“即使可行也不得用于商业用途”，这使其产业化前景更加复杂。俄自主EUV光刻技术路线图发布 冲刺10纳米以下制程。