美国研发新型激光技术。美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发了一种名为大孔径铥（BAT）激光器的技术，旨在为极紫外（EUV）光刻技术的进一步发展奠定基础。这种新型激光器的效率据称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器的10倍，并有望在未来取代现有的CO2激光器。

过去几十年里，劳伦斯利弗莫尔国家实验室在尖端激光、光学和等离子体物理学研究方面取得了显著成果，这些研究成果对半导体行业制造先进微处理器的基础科学起到了关键作用。这些计算机芯片推动了当今人工智能、高性能超级计算机和智能手机的发展。

最新的计划由劳伦斯利弗莫尔国家实验室领导，将评估BAT激光器技术。与当前行业标准的CO2激光器相比，该技术有望将EUV光源效率提高约10倍。这一进步可能为新一代“beyond EUV”的光刻系统铺平道路，使芯片生产更快、更节能。然而，将BAT技术应用于半导体生产需要重大的基础设施变化，因此具体时间表尚不明确。

当前一代低数值孔径（Low NA）EUV和下一代高数值孔径（High NA）EUV光刻系统面临的主要问题之一是极高的功率消耗，分别达到1,170千瓦和1,400千瓦。EUV光刻设备之所以能耗巨大，是因为它们依靠高能激光脉冲蒸发微小锡滴，在500,000ºC下产生13.5nm的EUV光线，这需要大功率激光器和冷却系统。